i-deas（TMG）计算镶嵌结构的导热
问题描述： 计算一个稳态导热问题，主体为230mmX230mmX40mm的块材，导热系数为15W/（m*K）。在上下表面中心处各开挖一个直径30mm、深度5mm的园槽，内填充另一种导热系数为150W/（m*K）的材料，与板子有良好接触（忽略接触热阻）。边界条件：上下表面温度均匀，分别为100℃和0℃；四周绝热。计算目的：评估开槽填入新材料相对不开槽温度场有何变化？我是这样做的：
分别建立带槽的方板、以及两个圆片共计3个part。分别建立FEM，并划分网格（体网格与面网格）、添加物性。然后创建一个Assembly及其FEM。最后：1、在上下表面添加等温边界条件；在小圆片与槽相对应的表面建立热耦合，设置connstant coefficient 为10000W/(m*K),因为想忽略接触热阻影响，最后计算。
请问我这样做是否存在问题？
1.对于这种忽略接触热阻的不同材料对接导热问题，热耦合是否是必须的？（I-deas有没有那种方法把实体一分为二，定义不同的无形，但软件默认二者相互导通）？要是有这种方法的话，估计就不用做assembly了
2.热耦合中的join类型是何意思，是不是指无“接触热阻的连接”？
请指教，谢谢！ 另外，请问使用i-deas的过程中生成的不同后缀的文件都有何用，比如unv？mf1与mf2文件的区别等等 1 I-Deas 本身就可以做稳态热分析，不必使用 TMG，后者主要用于瞬态热分析，特别是有轨道热的情况。
2 几何建模时，先创建六面体，再在其中使用 join Partition 切割出两个圆片，这样，三个物体合成为一个零件，两个圆片与六面体分别具有公共界面，能满足无热阻和导热的要求。在划分网格时对三者分别赋予相应的材料属性，其余的就简单了。即使在 TMG 中也可以类似做法，而不必再设置热耦合了。 谢谢您的回答
我再做做看:handshake
3# htbbzzg 3# htbbzzg 你好，你提到过join partition的使用，我下来试了一下，感觉该操作相当于在原来的part上新生成一个东西，覆盖掉原来的部分并与前者join（跟我想象的分割不大一样），请问是这样吗？另外请问为了模拟某个小物件同大环境的辐射换热，在TMG辐射边界条件中grey body view factor应如何设置呢，设置成1呢还是0？？？
谢谢！
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