zp573671341 发表于 2014-4-3 22:40:35

ANSYS做瞬态热分析，求助

小弟新手，用ANSYS对功率MOSFET做瞬态热分析，具体情况如下。模型建好后，芯片上施加生热率0.95e9W/m3，然后背面施加的对流换热系数1500W/(m2*K),正面施加换热系数10W/（m2*K),环境温度25摄氏度，求芯片上某点出的温度随时间的变化曲线。我按照其它例子，用不同的求解时设计和后期处理，但最后得到的曲线的温度是环境温度，一直没变。肿么回事？可以说下大致的求解和后处理步骤么？

xbzhang 发表于 2014-4-4 10:27:18

如果对流系数大，当然温度不变了。如果你都不明白基本分析过程，就下去做功课。

Y羊羊 发表于 2014-9-23 18:01:52

你的材料初始温度是多少

leo刘先生 发表于 2014-10-16 14:32:45

有程序吗？发出来看一下

g574100239 发表于 2014-10-18 15:44:22

对流换热系数1500W/(m2*K)

这个太大了吧？数据哪来的？

散热最好通过CFD软件（如fluent）来做，自动计算换热系数

Alice123 发表于 2014-11-5 17:23:16

参数不对吧
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