求助！各位大侠，麻烦看看下面的问题错在哪里，，急啊！

lchylinchy

各位大侠，麻烦看看下面的问题错在哪里，，急啊！！！！

!有一个长1.5mm，宽200μm，厚度40μm的硅梁,在硅梁的底层为一厚度为20μm的金；在一个硅片的某个区域加载了热流密度并应用表面效应单元同时加载了对流，然后其他面加载了对流，进行了热分析；硅片的左端是固定的，假设激光照射直径为150μm
我用热分析的结果作为载荷又进行了热应力分析，按照理论上来将，由于硅和金的热膨胀系数不一样，就会造成两种那个材料的伸长长度不一样，但是我做出来的结果是他们的伸长长度是一样的为什么啊？
我做的伸长结果如附图
请求各位大侠帮帮忙，急啊！！！！！
fini
/clear
/filename,danliang
/title,thermal analysis of beam
/prep7
!et,1,solid90


et,1,solid70
et,2,solid70
et,3,surf152
block,0,1.5e-3,0,0.04e-3,0,0.2e-3
block,0,1.5e-3,0,-0.04e-3,0,0.2e-3
VGLUE,ALL              !将两种材料粘接在一起
!定义材料属性
mp,kxx,1,140           !定义硅片的导热系数
mp,kxx,2,315           !定义金的导热系数
KEYOPT,3,3,0           ! OMEG 用于全局笛卡儿坐标系X轴
KEYOPT,3,4,0           !有中间节点
KEYOPT,3,5,0           !关于额外节点的辐射或对流计算: 无额外节点
!KEYOPT,3,6,0          !使用体积温度,额外节点温度作为体积温度
KEYOPT,3,7,0           !对于膜层散热系数不增加经验项
KEYOPT,3,8,3           !根据表面温度计算对流系数
KEYOPT,3,9,0           !不包括热辐射
!网格划分
lesize,1,,,4
lesize,4,,,100
lesize,9,,,20
mshkey,1
vatt,1,1,1
vmesh,1
lesize,5,,,100
lesize,25,,,4
lesize,22,,,20
mshkey,1
vatt,2,1,2
vmesh,3
asel,s,,,4
nsla,s,0
type,3
esurf,all
alls
save
fini
/solv
toffst,273
allsel,all
!每个面施加对流
esel,s,type,,3
!asel,s,,,4
nsle,s,1
sf,all,conv,480,25           !定义上平面对流480  初始温度为25
alls
asel,s,,,9
nsla,s,1
sf,all,conv,480,25           !定义下表面对流480
alls
nsel,s,loc,x,0
sf,all,conv,32,25           !定义左端侧面对流32
alls

nsel,s,loc,x,1.5e-3
sf,all,conv,40,25           !定义右端侧面对流40
alls

nsel,s,loc,z,0
sf,all,conv,32,25           !定义后侧面对流32
alls

nsel,s,loc,z,0.2e-3
sf,all,conv,32,25           !定义前侧面对流32
alls

上表面施加热流密度
esel,s,type,,1
nsle,s
nsel,r,loc,x,0.6e-3,0.75e-3
nsel,r,loc,y,0.04e-3
nsel,r,loc,z,0.025e-3,0.175e-3
sf,all,hflux, 88108
alls
solv
fini
/post1
plnsol,TEMP              !画出温度分布
/image,save,temp_jin,bmp
PLNSOL,TF,SUM            !画出热流量分布
/image,save,tf_jin,bmp
PLNSOL,TG,SUM            !画出热梯度分布
/image,save,tg_jin,bmp
!prnsol,TEMP
fini
/prep7
lsclear,solid         !删除实体模型上的对流载荷
esel,s,type,,3        !删除表面效应单元
edele,all
et,1,solid45
mp,dens,1,2230         !硅的密度
mp,ex,1,1.3e+5         !硅的杨氏模量
mp,nuxy,1,0.28         !硅的泊松比
mp,alpx,1,2.5          !硅的热膨胀系数
et,2,solid45
mp,dens,2,19320        !金的密度
mp,ex,2,7.95e+11       !金的杨氏模量
mp,nuxy,2,0.42         !金的泊松比
mp,alpx,2,14.2         !金的热膨胀系数

fini

/solu
ANTYPE,0                !静力分析
nsel,s,loc,z,0.2e-3
nsel,a,loc,z,0
nsel,s,loc,x,0
nsel,a,loc,x,1.5e-3
cp,1,uz,all
nsel,s,loc,x,0
d,all,ux,0,,,uy,uz
alls
tref,25                !定义参考温度
ldread,temp,,,,,danliang,rth
alls
solv
fini
/post1
pldisp,1

bill1986

个人观点。我没有做过相似的模拟。但觉得你是用的间接法分析。热分析求解完毕后，应重新进入/PREP7,
将热单元相应地转化为结构单元 ETCHG.可以参考相关的间接法分析的例子

lchylinchy

谢谢
我是用的间接耦合的方法做的
我用的是et,1,solid45
             et,2,solid45
这两个命令把热单元相应地转化为结构单元 的

xiebao143

nsel,s,loc,z,0.2e-3
nsel,a,loc,z,0
nsel,s,loc,x,0
nsel,a,loc,x,1.5e-3
cp,1,uz,all
好像不同的点和位置的耦合需要各自设置不同耦合数，不能简单只耦合一次
你上述的耦合，只耦合了x=1.5e-3这个面上点。
你再查查看是否是这样的

lchylinchy

谢谢
我再查看一下啊

lchylinchy

xiebao143 ，谢谢你
问题以及解决了