iomega版主你好，我有一个关于热应力的问题向你请教

lchylinchy

!在一个硅片的某个区域加载了热流密度并应用表面效应单元同时加载了对流，然后其他面加载了对流，进行了热分析；硅片的左端是固定的；
假设硅对激光的吸收率为0.9，激光照射直径为150μm,长1.5mm，宽200μm，厚度40μm;
我用热分析的结果作为载荷又进行了热应力分析，而且通过理论分析，假定Y,Z方向的应变为0
我现在移动激光光源的位置，希望得到得到光源位置与X方向应变的关系，但是结果与理论分析的值不一致，请iomega版主帮我看看有什么问题啊？
感谢之至
fini
/clear
/filename,danliang
/title,thermal analysis of beam
/prep7
et,1,solid70
et,2,surf152

mp,kxx,1,140           !定义硅片的导热系数

KEYOPT,2,3,0           ! OMEG 用于全局笛卡儿坐标系X轴
KEYOPT,2,4,0           !有中间节点
KEYOPT,2,5,0           !关于额外节点的辐射或对流计算: 无额外节点
!KEYOPT,2,6,0          !使用体积温度,额外节点温度作为体积温度
KEYOPT,2,7,0           !对于膜层散热系数不增加经验项
KEYOPT,2,8,3           !根据表面温度计算对流系数
KEYOPT,2,9,0           !不包括热辐射

k,1,0,0,0.2e-3
k,2,1.5e-3,0,0.2e-3
k,3,1.5e-3,0.04e-3,0.2e-3
k,4,0,0.04e-3,0.2e-3
k,5,0,0,0
k,6,1.5e-3,0,0
k,7,1.5e-3,0.04e-3,0   
k,8,0,0.04e-3,0      
l,1,2
l,2,3
l,3,4
l,4,1
l,3,7
l,7,8
l,8,4
l,1,5
l,5,8
l,2,6
l,6,7
l,5,6
al,1,2,3,4
al,2,10,11,5
al,12,11,6,9
al,9,7,4,8
al,1,10,12,8
al,3,5,6,7
va,1,2,3,4,5,6

lsel,s,,,1,3,2
lsel,a,,,6,12,6
lesize,all,,,100
lsel,s,,,2,4,2
lsel,a,,,9,11,2
lesize,all,,,4
lsel,s,,,7,8,1
lsel,a,,,5,10,5
lesize,all,,,20
type,1
vmesh,all
!生成表面效应单元
asel,s,,,6
nsla,s,0
type,2
esurf,all
alls
fini
/solu
!antype,static
toffst,273
allsel,all

!施加对流载荷
esel,s,type,,1
asel,s,,,4
nsla,s,1
sf,all,conv,36,25           !定义左端侧面对流32,周围温度为25
alls
esel,s,type,,1                  
asel,s,,,2     
nsla,s,1
sf,all,conv,40,25           !定义右端侧面对流40
alls
esel,s,type,,1
asel,s,,,1,3,2
nsla,s,1
sf,all,conv,40,25           !定义前后侧面对流32
alls

esel,s,type,,1
asel,s,,,5
nsla,s,1
sf,all,conv,480,25           !定义水平面对流480
alls

esel,s,type,,2
nsle,s,1
sf,all,conv,480,25           !定义水平面对流480
alls

!施加一个直径为150μm的激光均匀热流密度（移动激光源）
zint=0.15e-3                      !激光的初始位置
!施加一个直径为150μm的激光均匀热流密度
*do,i,1,10                  !光源移动10次
!施加对流载荷  
alls
esel,s,type,,1
nsle,s
nsel,s,loc,y,0.04e-3
nsel,r,loc,z,0.025e-3,0.175e-3
nsel,r,loc,x,zint*(i-1),zint*i
sf,all,hflux, 88108                !施加均匀热流密度
alls
solv
sfdele,all,hflux                       !删除上一次的激光源
*enddo
fini
save
/post26               
nsol,3,500,temp                   !将节点500的温度保存到号码2中
/axlab,x,weizhi
/axlab,y,wendu
plvar,3  
/image,save,wendu_weizhiguanxi,bmp
fini

!将热分析的结果用于应力分析中
/prep7
!et,1,solid95
et,1,solid45
mp,dens,1,2230         !硅的密度
mp,ex,1,1.3e+5          !硅的杨氏模量
mp,nuxy,1,0.28         !硅的泊松比
mp,alpx,1,7.8e-6       !硅的热膨胀系数
fini
/solu
!下面是规定Y,Z方向的应变为0；不知道这样做是不是对的，
nsel,s,loc,z,0.2e-3
nsel,a,loc,z,0
nsel,a,loc,y,0
nsel,a,loc,y,0.04e-3
cp,2,uy,all
cp,3,uz,all
alls

!固定硅片的左端
nsel,s,loc,x,0
d,all,ux,0,,,uy,uz
tref,25             !定义参考温度  
alls
*do,tm,1,10         !设置时间从0到10，步长为1
Time,tm
LDREAD,TEMP,,,tm,,danliang,rth  
deltim,1
alls
solve
*enddo
fini