求助：移动高斯热源加载遇到的问题，请高手赐教

yuanxin1986

最近在学ansys，要用ansys分析移动高斯热源加载到物体上的温度场，学着论坛里相关内容，自己也写了一个，但是发现有一些问题：
1：我想让高斯热源加载到物体的边缘上，可每次都是在整个上平面加载
2：感觉温度有点高的离谱
3：缺少纳米sic的热物性参数，只能用常规SiC替代
4：稍微改一下v，或者其他参数，就无法分析

我做的课题是纳米sic在激光照射下的原位晶须生长，请高手给我分析下命令流有哪些问题
命令流：
/filname,sic-gaosi3
/title,gaosifenxi01
/UNITS,SI
/CONFIG,NRES,10000

/PREP7
KEYW,PR_THERM,1
ET,1,SOLID70
MP,DENS,1,3217
MPTEMP,1,100.0,270.0,483.2,683.2,883.2,1168.2
MPDATA,C,1,1,116.5,589.5,984.1,1099.1,1170.3,1251.0
MPDATA,KXX,1,1,322.2,235.8,139.3,109.8,87.5,65.0
/VIEW,1,1,1,1
BLOCK,0,0.03,0,0.015,-0.003,0
SAVE
LESIZE,1,,,30
LESIZE,4,,,15
LESIZE,9,,,3
MSHKEY,1
VATT,1,1,1
VMESH,1
/PNUM,DEFA
EPLOT
FINISH  
/SOLU
LSIZE=0.001
V=0.000667
TINC=LSIZE/V
rb=0.0001
R=0.0002
pi=3.1415926
Q=350
Qmax=Q*0.7/(pi*rb*rb)

MAX_TIME=31
MAX_X=31
MAX_Y=16
*DIM,laser,TABLE,MAX_X,MAX_Y,MAX_TIME,X,Y,TIME
*DO,K,1,MAX_TIME,1
*DO,I,1,MAX_X,1
laser(I,0,K)=(I-1)*LSIZE
*ENDDO
*DO,J,1,MAX_Y,1
laser(0,J,K)=(J-1)*LSIZE
*ENDDO
*DO,I,1,MAX_X,1
*DO,J,1,MAX_Y,1
XCENTER=V*(K-1)*TINC
YCENTER=0
DISTANCE=SQRT(((I-1)*LSIZE-XCENTER)**2+((J-1)*LSIZE-YCENTER)**2)
*IF,DISTANCE,LE,R,THEN
laser(I,J,K)=Qmax/EXP(2*DISTANCE**2/(rb**2))
*ELSE
laser(I,J,K)=0
*ENDIF
*ENDDO
*ENDDO
laser(0,0,K)=(K-1)*TINC
*ENDDO
/SOLU
ANTYPE,TRANS
TUNIF,27
KBC,1
*SET,DELT,1
TIMINT,ON
AUTOTS,OFF
TT=44.9

*DO,TM,1E-6,TT,TINC
/VIEW,1,1,1,1
/ANG,1
/REP,FAST
FLST,2,1,5,ORDE,1
FITEM,2,2
/GO
!*
TIME,TM
AUTOTS,0
DELTIM, , , ,1
KBC,0
!*
TSRES,ERASE
FLST,2,1,5,ORDE,1
FITEM,2,2
/GO
!*
!*
SFA,P51X,1,HFLUX,%laser%
SOLVE
OUTRES,ALL,ALL,
/PSF,HFLUX,,2
/REPLOT
*ENDDO
OUTRES,ALL,ALL,
FINISH

srwszsc

我的温度反而很低,想提高还不行

srwszsc

V=0.000667
你的速度怎么这么小?
一般激光焊的速度都是20MM/S 以上的

zmp001

你把载荷加到面上不就行了吗

xiaojixixi

是不是还得在模拟中考虑到辐射和对流的因素啊？  因为毕竟在加热的时候材料会对外散热。

Vicly2012

新手路过，表示不懂